Download Elektronik: Ein Grundlagenlehrbuch für Analogtechnik, by Dieter Zastrow (auth.) PDF

By Dieter Zastrow (auth.)

Das vorliegende Lehr- und Arbeitsbuch bietet die Grundlagen der Elektronik als kurz gefasste Einf?hrung in ein gro?es Fachgebiet an und zielt auf ein gr?ndliches Schaltungsverst?ndnis, eine klare Fachsprache sowie ein anwendungsbereites mathematisches R?stzeug ab, um auch Schaltungsvarianten oder Anpassungen an andere Betriebsbedingungen eigenst?ndig bearbeiten zu k?nnen. Das Buchkonzept erm?glicht ein zielgerichtetes Lernen durch einen bew?hrten Lehrstoffaufbau mit zusammen 213 Lehrbeispielen und ?bungen sowie ausf?hrlichen L?sungen.

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Elektronik: Ein Grundlagenlehrbuch für Analogtechnik, Digitaltechnik und Leistungselektronik

Das vorliegende Lehr- und Arbeitsbuch bietet die Grundlagen der Elektronik als kurz gefasste Einf? hrung in ein gro? es Fachgebiet an und zielt auf ein gr? ndliches Schaltungsverst? ndnis, eine klare Fachsprache sowie ein anwendungsbereites mathematisches R? stzeug ab, um auch Schaltungsvarianten oder Anpassungen an andere Betriebsbedingungen eigenst?

Optimierung und ökonomische Analyse

Gegenstand des Buches sind die Darstellung, Herleitung und Erläuterung sowohl statischer als auch dynamischer Optimierungsmethoden, die zur Behandlung ökonomischer Modelle benötigt werden. Dabei wird ein großes Gewicht auf das Zusammenspiel zwischen ökonomischer Interpretation auf der einen und mathematischer Argumentation auf der anderen Seite gelegt.

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Memory Z-Dioden sind in Sperrichtung zu polen. Die Zenerspannung ist spezifiziert, meistens für Arbeitsbereich der Z-Diode liegt zwischen I zmax Ptot = und Uz Iz = 5 mA. Iz min = 0,1 Iz max Die Zenerspannung ist temperaturabhängig, negativer TK-Wert bei Dioden mit Uz < 5 V (Felddurchbruch); positiver TK-Wert bei Dioden mit Uz > 7 V (Lawinendurchbruch). Ua Rv +rz G=--=--- rz Eine Vergrößerung von Rv führt bei konstanter Eingangsspannung UE zu einer Verringerung von IZ. Da der Z-Widerstand rz in erster Näherung umgekehrt proportional zu lz ist, läßt sich praktisch keine Verbesserung des Glättungsfaktors durch Erhöhen von Rv erreichen.

In späteren Kapiteln werden vertiefende Darstellungen über Transistoren im Zusammenhang mit ihren Anwendnungsgebieten gegeben. D. 2 Kennlinien und Kennwerte der Bipolartransistoren Die Ermittlung von Tranistorkennlinien stellt eine erste praktische Beschäftigung mit Bipolartransistoren dar. Man betrachtet den Transistor als "black box" und will nur auf meßtechnischen Wege Erkenntnisse über seine Eigenschaften gewinnen. 1 Schichtenaufbau, Anschlüsse, Polung Bei den Bipolartransistoren unterscheidet man den NPN-Typ und den PNP-Typ.

3 Kennlinien und Kennwerte der Feldeffektlransistoren Die Ermittlung von Kennlinien stellt eine erste praktische Beschäftigung mit Feldeffekttransistoren dar. Man betrachtet den Transistor als "black box" und will zunächst nur auf meßtechnischem Wege Erkenntnisse über seine Eigenschaften gewinnen. 1 Kanalstruktur, Anschlüsse, Polung Bei den Feldeffekttransistoren unterscheidet man den Sperrschicht-Typ J-FET U = Junction) und den Isolierschicht-Typ MOS-FET (MOS = Metall-Oxid-Semiconductor). In den nachfolgenden Bildern sind die zwei wichtigsten FET-Typen abgebildet, die man N-Kanal-Sperrschicht-FET und selbstsperrender-N-Kanal-MOSFET nennt.

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